半导体模块更新
对于半导体模块的用户，comsol多物理188金宝搏优惠®6.0版包括用于离散陷阱能级之间过渡的功能，对金属触点增加接触性的能力以及用于热建模的新的异质结热源功能。在下面阅读有关半导体模块更新的更多信息。
离散级别之间的过渡
一个新离散级别之间的过渡feature is available as an attribute to the three trap-assisted recombination features (domain, boundary, and heterointerface) when the explicit trap option is selected and more than one discrete trap energy levels are created.此功能使您可以通过将量子孔的量化水平和/或量子点视为陷阱水平来指定陷阱水平之间的衰减寿命，并模拟量子井的量化水平之间的过渡。您可以在带有INAS量子点的太阳能电池嵌入藻类/GAAS量子井中教程模型。
使用新的过渡功能的太阳能电池模型来建模包含量子井和量子点之间的过渡。
接触电阻
一个新接触电阻选项已添加到金属接触欧姆和肖特基接触类型的边界条件以及所有五个驾驶模式：电压，电流，电源，电路电流和电路电压。可以通过选择接触电阻复选框（默认情况下禁用）在“设置”窗口中。这允许对金属触点进行更现实和方便的建模。这一种用于提取特定接触电阻率的跨桥开尔文电阻模型教程模型显示了此新选项。
跨桥开尔文电阻的电势（颜色）和电流密度（箭头和流线）用于接触电阻测量。
Klaassen统一移动模型（LIC）
这半导体接口现在包括一个Klaassen统一移动模型功能（有时称为飞利浦统一移动模型）可通过半导体材料模型节点。在此模型中，总载流子迁移率是通过将晶格（L），供体（I），受体（I）和载体 - 载体（C）散射效应组合起来的。该移动性模型还包括通过电荷载体和高掺杂水平的杂质聚集来筛选杂质。这俩沟槽gate igbt 3d和沟槽gate igbt 2d教程模型显示了这种新功能。
IGBT的模型结合了Klaassen统一移动模型特征。
杂结热源
焦耳加热对异性界面的边界热源的贡献已包括半导体界面。这使得对异质结构进行耦合热分析变得更加容易。
新的默认求解器
已经添加了一个新的物理求解器序列半导体简化具有现场依赖性迁移率和/或影响电离产生的模型的研究设置。这些现有的应用程序库模型现在使用新的求解器序列更有效：
- mosfet_with_mobility_models
- lombardi_surface_mobility
- caughey_thomas_mobility
- insb_pfet_dense_gradient
重用解决参数特征值问题的解决方案
现在可以在求解参数特征值问题时选择启动向量。此功能可以节省特征值问题的计算时间，这些解决方案的解决方案会随着参数的更改而平稳变化。可以在使用的模型中找到示例Schrödinger-Poisson界面。与特征值搜索方法设置手动的，您通常可以将迭代次数减少至少50％。
捕获功能
指定其他电子和孔捕获率的新选项已添加到离散的能量水平attribute for the trap-assisted recombination features (domain, boundary, and heterointerface), when the explicit trap option is selected.这连续能量水平通过扩展带隙外的陷阱能级的范围并允许捕获概率依赖陷阱能级，从而增强了功能。通过解决陷阱占用率的新选择（与陷阱费米水平相对），增强了密度梯度公式的陷阱特征。
移动模型
这Caughey-Thomas移动模型通过几种新的选项来提高驱动力的配制，为对不同类型的驱动力感兴趣的用户增加了多功能性。
金属触点
为平均端子电流密度的新型内置全局变量已添加金属接触边界条件，使得获得与比例无关的输出量以进行比较，从而方便。
新的和更新的教程模型
188金宝搏优惠comsol多物理学®6.0版将几种新的和更新的教程模型带入半导体模块。
INAS纳米线FET中的表面陷阱诱导的滞后，密度分析
由于表面陷阱引起的电导与栅极电压的磁滞行为。
应用程序库标题：
inas_nanowire_traps_hystreasis_dense_gradient
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一种用于提取特定接触电阻率的跨桥开尔文电阻模型
横桥开尔文电阻的电势（颜色）和电流密度（箭头和流线）。
应用程序库标题：
cross_bridge_kelvin_resistor_contact_resistivity
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带有INAS量子点的太阳能电池嵌入藻类/GAAS量子井中
量子点状态的占用是在三种不同的780 nm光功率水平下的1300 nm光功率的函数。
应用程序库标题：
dot_in_well_solar_cell
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沟槽gate igbt 3d
电子密度（棱镜颜色表），电子电流密度流线（浅蓝色）和IGBT的MOS区域中的孔电流密度流线（黄色）。
应用程序库标题：
trench_gate_igbt_3d
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Moscap 1D小信号
金属氧化硅电容器的简单1D模型的低频和高频案例的C-V曲线。该模型已扩展，以证明如何使用不容易获得终端电荷的金属触点来计算差异电容。在离散误差和圆形误差之间更好地妥协的网格也得到了改进。
应用程序库标题：
moscap_1d_small_signal
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MOSCAP的界面捕获效果
作为栅极电压（VG）的函数，计算的末端电容（CM）和等效平行电导（GP）显示出相同的定性行为，并且实验数据的相当大小。该模型中的网格已得到改进，以在离散误差和圆形误差之间更好地妥协。
应用程序库标题：
moscap_1d_interface_traps
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双极晶体管的热分析
双极晶体管设备的电压和载波电流以及相应的温度分布和热通量（底部）以及相应的温度分布（底部）。该模型已更新以使用下拉菜单中的可用温度和热源项作为温度和热源耦合，而不是手动输入相应的变量。
应用程序库标题：
bipolar_transistor_thermal
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