INSB p通道FET的密度分析分析
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该教程使用密度梯度理论分析了INSB P通道FET的DC特性，将量子限制的效果添加到常规的漂移扩散配方中，而没有大量的计算资源。限制效果既应用于量子井通道和靠近通道的顶部绝缘体界面。展示了各向异性密度梯度有效质量基质的使用，因此配置一般场依赖性迁移率模型的技术也是如此。从2D模型获得的孔密度曲线和ID-VG曲线与参考文件中已发布的数字进行了很好的比较。
此模型示例说明了这种类型的应用程序，该应用程序名义上使用以下产品构建：
但是，可能需要其他产品来完全定义和建模。此外，也可以使用以下产品组合中的组件来定义和建模此示例：
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