Moscap 1D小信号
应用ID：53531
金属 - 硅氧化物（MOS）结构是许多硅平面设备的基本构建块。它的电容测量为这些设备的工作原理提供了丰富的见解。该教程构建了MOS电容器（MOSCAP）的简单1D模型。使用小信号分析的方法计算低频和高频C-V曲线。该模型采用了准Fermi水平公式和半导体平衡研究步骤。
此模型示例说明了这种类型的应用程序，该应用程序名义上使用以下产品构建：
但是，可能需要其他产品来完全定义和建模。此外，也可以使用以下产品组合中的组件来定义和建模此示例：
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