沟槽gate igbt 3d
应用ID：101501
在两部分示例的下半年中，沟槽盖式IGBT的3D模型是通过从上半场挤出2D模型来构建的。与2D模型不同，现在可以像在真实设备中一样沿着挤出方向排列交替的N+和P+发射器。这种更现实的布置可与实验数据更好地定量一致。计算的收集器电流密度是收集器电压的函数，与已发布的结果相当吻合。
此模型示例说明了这种类型的应用程序，该应用程序名义上使用以下产品构建：
但是，可能需要其他产品来完全定义和建模。此外，也可以使用以下产品组合中的组件来定义和建模此示例：
comsol的组合188金宝搏优惠®建模应用所需的产品取决于几个因素，可能包括边界条件，材料属性，物理界面和部分库。特定功能可能是几种产品的共同点。要确定适合您的建模需求的产品组合，请查看规格图并使用免费评估许可证。这188金宝搏优惠comsol销售和支持团队可用于回答您对此可能遇到的任何问题。