分子流量模块
新应用：ION Implanter评估器
该应用检查了离子注入装置内的数量密度，压力和分子通量。晶片，化学成分，温度，除气率和泵速度的角度都是所有输入。可视结果包括数量密度的3D图，而分析结果沿着梁线提供平均数量密度。
ION Implanter评估器应用程序的屏幕截图，其显示在整个设备中的数量密度分布及其沿着光束线的平均值。
ION Implanter评估器应用程序的屏幕截图，其显示在整个设备中的数量密度分布及其沿着光束线的平均值。
更快的自由分子流量计算的数值改进
这自由分子流量接口更有效地平行化，允许在计算期间有效地使用更多核心。下表显示了与以前版本相比，在COMSOL Multiphysics中运行的三个教程模型有多速度。188金宝搏优惠使用10芯机器运行模拟。
| 教程 | CPU时间（5.0） | CPU时间（5.1） | 加速 |
| 蒸发器 | 2小时24M 4s. | 18米31年代 | 7.8 |
| 公共管道 | 2M 57s. | 45年代 | 3.9 |
| 离子植入机 | 5M 15s. | 2m 1s. | 2.6 |
多种分子流量
指定公共利率的新选择
现在可以以[（Torr * L）/ cm ^ 2 / s]为单位指定除气率，[（mbar * l）/ cm ^ 2 / s]（等效Si单位为w / m2）。您现在可以使用这些单位在新的热解吸速率特征outgassing.墙壁选项选中在墙边界条件下。
新教程：超高真空的化学气相沉积
化学气相沉积（CVD）是半导体工业中经常用于的过程，以在晶片衬底的顶部上生长高纯度固体材料的层。CVD使用许多不同的技术和一系列压力，从大气中到超高真空（UHV / CVD）。由于UHV / CVD在低于10-6Pa（10-8托）的压力下进行，因此通过分子流动实现气体传输，因此缺乏诸如边界层的任何流体动力学效应。另外，没有涉及的气相化学（由于分子碰撞的低频），生长速率将通过物种的数量和表面分子分解过程确定。
本教程使用多种物种自由分子流量从CVD模拟硅晶片生长的界面。在运行辅助扫描后探讨了不同泵送曲线的效果。
该图显示了在超高真空的化学气相沉积期间晶片盒的SiH4的分子通量分数。
该图显示了在超高真空的化学气相沉积期间晶片盒的SiH4的分子通量分数。