半导体模块更新
对于半导体模块的用户,COMSOL Multiphysics188金宝搏优惠®版本5.5包括一种新的密度梯度配方,新的陷阱辅助异化物重组功能和四种新型号。了解有关以下这些半导体功能的更多信息和下面的其他改进。
密度梯度配方
引入了基于密度梯度理论的新的离散化选项,以包括量子限制在传统漂移扩散制剂中的影响。这提供了一种有效的替代方案,其其他更复杂的量子机械方法,其是计算昂贵的。
此功能在三种新型号中进行了演示:
- nanowire_dentions_gradient_3d.
- insb_pfet_ditys_gradient.
- si_inversion_layer_ditys_gradient_and_schrodinger_poisson.
疏水阀辅助异化物重组特征
新的疏水阀辅助异化物重组添加边界条件供您模拟界面陷阱在异质结的效果。建立离散和/或连续的能量水平陷阱是简单的,以占其载体捕获和对异灶性缺陷的充电效应。
额外改进
- 用户定义的结束当前选项
- 异质结边界条件的新选项允许用户在结处指定任何任意电流密度
- 陷阱准fermi水平配方
- 引入了一种新的明确陷阱的制定,以使用陷阱准fermi水平作为解决的因变量
- 掺杂依赖性材料特性
- 现在可以在模型输入清单的运输分支下获得受体浓度和供体浓度,以促进依赖于掺杂依赖性材料性质的结构
- 坚实的力学耦合
- 更新电动位移场的时间导数的变量,以允许网格变形以耦合到固体力学
- Schrödinger-泊松方程式
- 对的重量范围Schrödinger-泊松多体耦合从20 KT到40 kt延伸,以覆盖温度范围较高的案例
- 新的内置功能
- 新的FERMI-DIRAC函数LOG_FD_HALF_INV_AN和LOG_FD_HALF_AN可用并接受全方位的输入参数
- 准确性改进:
- Caughey-Thomas移动模型配方
- 时间依赖研究的默认求解器设置
- Quasi-Fermi级配方的默认缩放
- 错误修复:
- 准fermi水平配方的时间依赖性弱期误差(自COMSOL多体学188金宝搏优惠®版本5.4更新3)
- 显式表面陷阱收费对肖特基联系人的影响
- 两个相邻半导体材料模型的边界电流密度公式,校正有限体积离散化
- 选择过滤器零充电边界条件,不覆盖轴向对称边界条件
新教程模型和应用程序
版本5.5带来了几个新的和更新的教程模型。
SI反转层的密度梯度和Schrödinger-poisson结果
应用程序库标题:
si_inversion_layer_ditys_gradient_and_schrodinger_poisson.