所有帖子刘建
用基准模型提取特定的接触电阻率
2022年3月16日
您现在可以使用半导体模块向金属触点添加接触电阻。在此博客文章中，我们将探讨利用此新功能的基准模型。
如何模拟压电微泵
2月2日，2021年2月2日
了解如何将压电材料与流体结构相互作用效应组合，使用速度依赖式公式，并在固体和流体域之间设置断开的网格。
在均匀磁场中模拟硅量子点
2021年1月26日
太阳能电池，LED，显示器，光电探测器和量子计算是量子点的潜在应用，纳米技术领域的基本方面。
K•P应紧张紫立岩甘蓝带结构
2020年12月1日
在Schrödinger方程界面中使用多组分波函数函数，模拟各种半导体系统，例如具有旋转的颗粒和紧张的倍氏晶体。
模型在Bose-Einstein冷凝物中涡旋格子形成
11月17日，2020年
Bose-Einstein冷凝可引起超浊度，超导，激光和被困的稀释冷原子。当这种系统经受旋转扰动时，它形成涡流。
三个半导体器件模型使用密度梯度理论
2019年12月2日
您可以使用密度梯度理论模拟半导体器件。以下是3示例：Si反转层，Si纳米线MOSFET和INSB P沟道FET。
介绍半导体器件仿真的密度梯度理论
2019年11月27日
密度梯度理论是包括用于常用于模拟半导体器件的传统漂移扩散制剂中的量子限制的计算有效方法。
模拟半导体器件中的辐射效应
2019年11月20日
分析半导体器件中的辐射效应是消费电子，医学成像，核工程，航空航天和广泛的其他行业的重要能力。