半导体模块更新
对于半导体模块的用户，comsol多物理188金宝搏优惠®版本5.3A为准Fermi级离散选项，电动驱动终端以及新的和更新的教程带来了一项新的研究。了解这些半导体功能等等。
半导体平衡研究
一个新的研究步骤称为半导体平衡被引入半导体物理接口。您可以将此新研究用于已知处于平衡状态以及为非平衡系统生成初始条件的系统。
模型向导窗口显示新的半导体平衡学习步骤。
模型向导窗口显示新的半导体平衡学习步骤。准Fermi级配方
使用准Fermi级别作为电荷载体的因变量，已添加了一种新的离散方案。准Fermi级配方提供了一种替代选项，用于在非常低的温度下对半导体设备进行建模时，可以解决通常高度非线性方程式系统。
电动驱动终端
一个新选项添加到金属接触边界条件以指定终端功率。这是电压和电流驱动端子的补充，并以两种不同的方式连接到电路。
捕获功能
功能陷阱功能扩展，以便用户可以针对每个离散或连续的能级子节点单独输入初始陷阱占用和退化因子。也可以针对每个连续的能级子节点单独定制沿能量轴的能量离散，能量范围和沿该能轴的网格点的数量。扩展的功能可以在研究具有复杂陷阱属性的系统方面具有更大的灵活性，尤其是其动力学。
Schrödinger方程接口的PML
除了开放边界波浪的条件，完美匹配的层（PML）功能已添加到Schrödinger方程接口吸收固定研究的波浪。这有助于研究各种散射现象。
新教程模型：Bose-Einstein凝结的GROSS-PITAEVSKII方程
该教程模型使用谐波陷阱中的Bose-Einstein冷凝物的基态求解了Gross-Pitaevskii方程Schrödinger方程半导体模块中的物理接口。该方程本质上是非线性单粒子schrödinger方程，其势能贡献与局部粒子密度成正比。特征值研究不适合解决这种非线性特征值问题。取而代之的是，一项固定研究与实施波函数的归一化以求解基础态溶液的归一化研究。大量粒子的结果与预期的托马斯 - 弗米近似相比良好。
应用程序库路径：
semiconductor_module/Quantum_systems/gross_pitaevskii_equation_for_bose_einstein_condensation
新教程模型：Moscap 1D小信号
金属 - 硅氧化物（MOS）结构是许多硅平面设备的基本构建块。它的电容测量为这些设备的工作原理提供了丰富的见解。该教程构建了MOS电容器（MOSCAP）的简单1D模型。使用小信号分析的方法计算低频和高频C-V曲线。该模型采用了准Fermi级配方和半导体平衡研究步骤，均为comsol多物理学188金宝搏优惠®版本5.3a。
低频和高频病例的C-V曲线。
低频和高频病例的C-V曲线。
应用程序库路径：
semiconductor_module/device_building_blocks/moscap_1d_small_signal
增强和错误修复
- 改进的有限体积公式，用于不完整的电离，空间变化的电子亲和力和带隙，并与热平衡条件保持一致
- 自动设置电势的约束值金属接触用用户定义的Schottky屏障高度
- 改善低电流的高场迁移率模型行为
- 所有掺杂曲线类型中延续参数缩放的一致性提高了
- 修复了由于温度梯度（FVM）引起的带隙狭窄（FVM和FEM），依赖位置的带隙（FVM）和载体扩散的配方。
- 使用带隙狭窄功能的MOSFET教程受到影响
- 有限元日志公式的更正的费米 - 迪拉克变量定义
- 用户定义的Schottky屏障高度的固定配方金属接触边界条件
教程改进
MOSFET系列教程
MOSFET系列教程已使用用户定义的网格更新，以便更快地计算。这一系列模型包括已改进的带隙狭窄的效果。通过增强的配方，通过更粗的网格可以实现更好的精度。
通用型号加速
许多教程模型已通过更有效的网格和参数扫描设置进行了更新，从而导致计算加速至10倍。
- MOSFET系列教程
- MOS晶体管的直流特性
- MOSFET的故障
- 具有移动模型的MOSFET
- MOSFET的小信号分析
- 离子敏感的野外晶体管的模拟
- GAAS P-N连接红外LED
- PN二极管电路
- Caughey Thomas Mobility
- Lombardi表面迁移率
- 浮子eeprom设备的编程
- MESFET的直流特征
应用程序库重组
应用程序库中的设备类别被四个新类别取代：
- 设备构建块
- 光子设备和传感器
- 量子系统
- 晶体管