半导体模块更新
对于半导体模块的用户，comsol多物理188金宝搏优惠®版本5.2A带来了一个新应用程序，可以在指定的日期和位置评估硅太阳能电池的设计参数。理想的Schottky，热发射发射和连续的准Fermi水平边界条件已增强，以提高半导体模型的准确性，同时节省计算时间和内存。以下更多详细信息查看所有半导体模块更新。新应用：带射线光学的SI太阳能电池
带有射线光学应用程序的SI太阳能电池组合了射线光学模块和半导体模块，以说明特定日期和位置的硅太阳能电池的操作。射线光学模块计算应用程序用户选择的日期和位置的平均照明。然后，半导体模块使用用户指定的设计参数计算太阳能电池的归一化输出特性。
归一化的输出特性乘以计算的平均照明，以在指定的日期和位置获得单元的输出特性，假设输出与照明之间存在简单的线性关系。然后，用户可以计算一天中太阳能电池的效率和发电量。
基础模型由1D硅PN连接和载体生成和冲击式钻头重组组成。接地的阳极被建模为沉积在发射极（N掺杂区）上的薄欧姆接触。同样，阴极被建模为沉积在基本侧（p掺杂区域）并连接到外部电路的理想欧姆接触。
带有射线光学应用程序的SI太阳能电池的应用程序库路径：semiconductor_module/applications/si_solar_cell_with_ray_ray_optics
注意：为了运行此应用程序，您需要半导体模块和射线光学模块。
带有射线光学应用程序的SI太阳能电池的用户界面，显示了太阳的计算结果和位置。
在金属接触处理想的肖特基边界条件的增强性能
在co188金宝搏优惠msol多物理学中®5.2和先前的版本，在理想的Schottky边界条件下，在金属触点处使用恒定的外推方案。这需要在边界处有更好的网格，才能以可接受的精度产生结果。在第5.2A版中，使用高阶外推方案来实现更好的准确性，而无需在边界处使用极其密集的网格。例如，理想的肖特基边界条件应用于具有均匀材料和电流密度的矩形域的左边界。以下来自comsol多物理学的图188金宝搏优惠®版本5.2a比较了两个网格和相应的结果，它们非常准确且实际上无法区分。
在左边界上没有太多细化的网格，在该边界上应用了理想的肖特基边界条件。
在左边界上施加理想的肖特基边界条件的网格。
结果表明，即使使用未精制的网格，最大和最小值的最大值和最小值的最大值也相同）。
未经精制的网格的结果实际上与使用精制网格的结果没有区别。
在异质界面的热发射发射边界条件改善了性能
在comsol多物理的先前版本中188金宝搏优惠®，与理想的Schottky边界条件相似，在异质发射边界条件的异质界面上使用恒定的外推方案。这需要在边界处有更好的网格，才能以可接受的精度产生结果。在第5.2A版中，使用高阶外推方案来实现更好的准确性，而无需在边界处使用极其密集的网格。
在异质界面的连续准Fermi水平边界条件增强了功能
Fermi Dirac的统计数据，用于异质界面的连续准Fermi水平边界条件。计算的水平是零级别的预期。
相邻电荷保护域的静电剂的更准确的配方
在5.2a版本中，静电物理学接口（左）匹配半导体模块（右）的接口。
在5.2a版本中，静电物理学接口（左）匹配半导体模块（右）的接口。
优化的研究设置加快了双极晶体管教程模型的计算时间
双极晶体管教程模型的研究设置已被优化，以加快计算时间。现在，3D模型需要几个小时才能解决，而不是几天，而2D模型则在几分钟而不是一个小时内解决。