半导体模块更新
188金宝搏优惠comsol多物理学®6.0版本版本半导体半导体的引入了陷阱之间之间，金属接触接触添加添加接触接触电阻电阻电阻电阻电阻电阻电阻电阻电阻电阻电阻接触电阻电阻接触电阻以及以及以及热建模热建模的的的的新新新新异质结异质结异质结热源热源热源等等半导体模块”的更新。
离散能级之间跃迁
选择显式并多个离散能级能级，新增的后后能级离散能级之间跃迁（（（（（（异质界面异质界面异质界面）），）陷阱/或和或或量子点量化级的跃迁。您可以在在藻类/gaas量子阱中嵌入嵌入量子量子点电池电池教学案例查看一新的应用演示。
太阳能模型，使用新增跃迁特征包含量子阱与之间。。
接触电阻
欧姆接触肖特基类型以及所有五驱动模式电压，电流，功率功率，电路电路电流电流的的的）金属接触边界条件添加了一的的接触电阻选项。可以中中中设置设置窗口窗口窗口的的接触电阻（（（（（））来来特征特征特征特征用于提取接触的跨桥开尔文电模型模型教学案例了这个新。。
用于电阻测量跨桥开尔文阻器的电势彩色彩色彩色彩色彩色和密度密度（（（。。。）
klaassen统一模型（LIC）
半导体接口现在包含个klaassen统一迁移率（“飞利浦”（Philips）），可可”，可可通过半导体材料模型节点使用该中，总总（l），（i），（i），（i）和和流子（i）和流子-（c）散射（c）散射散射散射迁移率模型通过载筛选杂质以及水平杂质杂质聚集聚集。IGBT三维三维模型和IGBT二维二维模型教学案例演示了一新功能。
igbt模型，包含klaassen统一迁移率特征。
异质结热源
焦耳热对边界的贡献现已在在半导体接口的。来，用户来来轻松地异质结构进行。。。
新增的默认解器
半导体中添加物理场建议求解器求解器序列，以以具有和和/或和和和或或或碰撞碰撞电离电离生成生成生成的的的的模型的的研究设置设置设置。以下的的的的的案例库案例库：
- mosfet_with_mobility_models
- lombardi_surface_mobility
- caughey_thomas_mobility
- insb_pfet_dense_gradient
重用参数化特征值的解
现在可以参特征值问题时选择对于解随变化而平滑变化变化的的，这问题问题问题问题问题薛定谔-泊松泊松接口的中找到的示例。将特征值搜索方法设置为手动后，通常通常将次数次数减少减少50％。
陷阱特征
选择显式后后，陷阱辅助特征域，的的的的）离散能级属性现在新选项，用用指定的电子空穴。。。连续能级特征已陷阱的范围扩展到到并允许取决于陷阱陷阱能级级得到了了了了增强。密度梯度公式公式的陷阱特征特征已已的的的新选项得到增强。
迁移率模型
Coughey-Thomas迁移率模型已通过新增驱动力选项了了增强，为为增强不同类型类型驱动力感兴趣
金属接触
新版本为金属接触边界条件一新内置变量，用于全局变量变量变量，便于密度，便于密度密度
新的更新的教学案例
188金宝搏优惠comsol多物理学®6.0版本“半导体”引入引入许多新更新的的案例。。
inas纳米线场效应中的陷阱滞回滞回，密度特性滞回滞回滞回滞回
由于表面引起电导与之间的滞回特性。
“案例库”：：
inas_nanowire_traps_hystreasis_dense_gradient
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IGBT二维二维模型
IGBT MOS区电子密度彩色彩色彩色彩色彩色密度密度流线灰色灰色灰色）和电流电流密度。。。。。。。。）
“案例库”：：
trench_gate_igbt_2d
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IGBT三维三维模型
igbt mos区（（Prism）（prism颜色表）（prism），密度流线（浅蓝色浅蓝色浅蓝色浅蓝色浅蓝色浅蓝色空穴空穴电流电流密度）
“案例库”：：
trench_gate_igbt_3d
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moscap一维模型
金属氧化物在高频高频情况下的的的曲线已已扩展扩展扩展，以扩展扩展扩展扩展扩展扩展扩展演示演示演示如何如何在在电荷电荷不可可用用用的
“案例库”：：
moscap_1d
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moscap的的效应效应
（cm）和（gp）随栅压（vg）的的的的变化规律与量级量级相当实验具有具有相同的定性定性。。为了更更更更更新版本该中的进行了改进。
“案例库”：：
moscap_1d_interface_traps
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双极晶体管的分析
（（（），以及流子（（（（（（（工作双极双极（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（可用温度项温度和热源，不再热源耦合耦合手动相应变量。。
“案例库”：：
bipolar_transistor_thermal
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