半导体行业使用离子植入器将掺杂剂植入晶片。为了优化这些设备的设计，工程师需要快速，轻松地测试广泛的参数。仿真应用程序通过与没有模拟背景的同事共享简单且完全可定制的界面的功能来帮助简化离子植入器的设计过程。在这里，我们向您介绍我们的离子植入术评估器演示应用程序。
实现关键参数以避免不希望的效果
作为。。而被知道掺杂在半导体设备制造中，离子植入涉及使用电场加速离子源中产生的离子，以实现成功植入的所需能量。为了使特定电荷与质量比的离子达到晶圆，选择磁体可以选择正确的电荷状态并弯曲离子束。除了确保只有某些离子到达晶圆外，只应植入晶片的特定部分。有机光蛋白天用于掩盖晶片的一部分并创建所需的图案。
离子植入剂的一个常见问题是，当被离子束击中时，光丝师会发出其自身的气体分子。当这些超过的分子与离子束相互作用时，它会导致沿束路径的不同点处的电荷与质量比不良。如果分子达到晶片，它会降解植入物的均匀性，并影响植入物剂量的测量的准确性。为了避免此问题，在离子束线中应尽可能低。
通过将该模型转换为应用程序，您可以评估关键参数，以确保避免这些不良效果。应用程序的简单，直观的接口为同事提供了对您的离子植入器模拟进行更改的能力。
用于分析离子植入器设计的演示应用程序
离子植入器评估器仿真应用程序基于我们离子植入器评估器教程模型，用分子流块模块创建。离子植入器包括固定在载体板上的晶圆，该晶圆可以旋转其中心轴以创建不同的植入角度。该板位于一个腔室中，将三个大冷冻机放在圆柱真空端口上。该设备还具有通过磁场的真空路径，该路径进入晶圆对面的主腔室。梁路径的开头还有一个额外的冷冻ump，腔室入口处有一个孔，可降低连接器中的通量。
离子植入器的模型几何形状。
离子植入器演示应用程序的用户界面包含一系列简单工具，旨在由模拟工程师和非模拟专家使用。功能区包含您可以用来求解应用程序的不同按钮，例如：
- 重置为默认值，重置您的输入参数
- 计算，解决您的学习
- 阅读文档和创建报告，进一步评估输入参数
还有完全可自定义的表单，左侧栏上显示，您可以：
- 输入模型几何和条件
- 选择要显示的图
- 查看数值输出和模型信息
离子植入器评估器演示应用程序的简单用户界面。
您和您的同事都可以轻松地反复更改上述模型的参数。您能够测试晶圆的角度以找到最佳的位置，以保持低凝结分子的数量密度低，从而保持晶片的均匀性。其他可能的参数调整包括：
- 耗尽物种的分子量
- 超出率
- 表面温度
- 冷冻泵的泵速
通过创建自己的离子植入器应用程序，您可以根据自己的仿真需求包括所有或某些参数，以及一系列其他可能性。您可以轻松地可视化屏幕右侧的参数输入结果。在我们的演示应用程序中，我们能够查看沿光束线的数量密度，压力，分子通量和平均数密度，以开始评估和优化离子植入器。
确保您能够以最佳性能建模离子植入器将有助于更有效，更可靠的半导体。
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- 下载离子植入器评估器演示应用程序
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