密度级别和Schrödinger-Poisson的硅反转层结果
应用ID：73381
该教程证明了使用密度梯度公式将量子限制的效果包括在硅反转层的设备物理模拟中。与常规漂移扩散方程相比，该公式仅需要适度的计算资源增加。因此，它比其他更复杂的量子机械方法更快地进行了工程研究。将密度梯度理论的结果与schrödinger-Poisson方程的溶液进行了比较。来自这两种理论的计算电子密度曲线均显示了量子限制的预期行为，并且两者都与参考文章中发布的数字非常吻合。
此模型示例说明了这种类型的应用程序，该应用程序名义上使用以下产品构建：
但是，可能需要其他产品来完全定义和建模。此外，也可以使用以下产品组合中的组件来定义和建模此示例：
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